近日，领开半导体正式宣布完成新一轮融资，本轮融资由知名硬科技投资机构东方富海领投，所募资金将重点投向AI推理专用存储芯片HBF的产品研发，进一步夯实公司在存储芯片领域的技术壁垒，抢抓AI产业发展新机遇。
领开半导体深耕存储芯片研发与产业化，依托公司自主研发、具备可微缩优势的ATopFlash技术，实现了NOR Flash技术的摩尔定律回归。相较于第一代ETOX技术以及第二代SONOS技术，公司发明的第三代ATopFlash技术优势显著，兼具可微缩、高存储密度、低成本、低功耗等特性，同时可适配FinFET先进工艺。
聚焦AI大模型推理场景的存储需求，与3D NAND技术路线的HBF方案卸载KV Cache不同，领开依托ATopFlash开发的HBF芯片主要用于卸载大模型权重参数，将原来存放于HBM的大模型静态权重参数存放于HBF中，释放昂贵的HBM存储空间用于存储动态的KV cache，进而指数级提升上下文长度。据悉在28nm工艺节点，公司的ATopFlash技术可实现180Mb/mm2存储密度,单颗裸片可实现16Gb存储容量，通过多芯堆叠可实现单芯片16-32GB的容量，既满足了 HBF 芯片大容量存储需求，更相较传统 HBM 方案实现功耗降低 10 倍、成本压缩 10 倍。
在传统小容量 NOR Flash 芯片领域，公司技术同样实现全方位升级：产品存储密度提升 2 倍以上，读写速率提升30%；且工艺适配性极强，无需晶圆厂新增专用生产设备，可直接兼容现有产线导入，有效压缩产业化落地成本。
此次融资后，领开半导体将进一步加大AI推理存储芯片的研发投入，重点推进高容量、高带宽存储芯片的产业化落地，同时深化与上下游产业链的协同合作，不断完善 AI 存储生态布局，助力AI推理存储领域的技术革新与产业发展。
