英诺赛科宣布发布新产品：采用TO-247-4L 封装，集成栅极驱动和短路保护的 GaN 功率 IC，适用于高功率密度和高效率的大功率应用。

ISG612xTD SolidGaN IC

ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功率 IC，Rdson 范围为 22mΩ~59mΩ（最大25C）。ISG612xTD系列采用精密Vgs栅极驱动器、快速短路保护和 TO247-4L 封装，具有出色的热性能。这些配置使系统设计人员能够实现具有 Titanium Plus 效率的高频开关，功率密度比传统方案高2~3倍。

产品包含

• ISG6121TD

• ISG6122TD

• ISG6123TD

• ISG6124TD

该系列产品还配备了内置保护，包括DESAT保护、输入UVLO和OTP，能够进一步确保设备的稳健性和系统安全性。

产品性能

• 集成700V，22mΩ~59mΩ E-Mode GaN和高精度栅极钳位

• 兼容IGBT，Si MOSFET，SiC引脚，可直接替换

• 10V~24V输入电压范围支持主流驱动器和控制器生态

• 内置米勒钳位，无需负压关断，支持高达100V/ns开关速度

• 集成短路保护，欠压保护，过温保护，增加系统鲁棒性

应用优势

• 高开关频率

• 高功率密度

• 高散热能力

• 高抗干扰能力

• 简单易用

• 高可靠性

应用领域

• 适合500W-4KW大功率电源和马达驱动

• 可广泛应用于服务器电源，空调电源，汽车OBC

作为行业首发的大功率合封氮化镓产品，ISG612XTD SolidGaN IC将先进的700V E型GaN FET无缝集成，为电力电子的性能、易用性和可靠性设定了全新标准，有望成为高效率、高安全性的终端应用系统的关键器件。