1.简单两步，抢先体验！爱集微“企业洞察”平台手机版正式上线
2.集微咨询发布《汽车半导体市场逆势增长的主力军：从专利角度分析碳化硅功率器件技术》
3.英特尔全球裁员，向爱尔兰员工提供高达50万欧元的自愿离职补偿金
4.夏普意外陷亏损：LCD不振，半导体、相机模组业务拟卖鸿海
5.传台积电将在高雄建设1.4nm晶圆厂
6.新思科技350亿美元收购Ansys交易受到英国监管机构审查
7.AI需求加持，日本十大半导体设备厂Q2营业利润暴增80%
8.成本飙升导致Apple Watch MicroLED项目被迫取消，LG敦促苹果支付费用
1.简单两步，抢先体验！爱集微“企业洞察”平台手机版正式上线
深耕ICT领域，助力行业精准把握企业多维信息脉搏，爱集微精心打造“企业洞察”平台，此前PC版已启用。现在，“企业洞察”平台手机版也正式上线了！
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2.集微咨询发布《汽车半导体市场逆势增长的主力军：从专利角度分析碳化硅功率器件技术》
功率器件中，SiC较硅基产品具备明显优势，不过成本也更高。历经过去几年的筹备，目前SiC产业链企业陆续进入产能放量的关键节点，成本有望快速下降，大规模应用爆发在即。值此之际，集微咨询（JW Insights）正式发布《汽车半导体市场逆势增长的主力军：从专利角度分析碳化硅功率器件技术》研究报告，期望透过专利分析，向行业分享国内外主流SiC功率器件企业的技术实力。
本报告主要从SiC功率器件关键技术及主要玩家、专利数据来源及研究方法、行业专利概况、日企专利优势、欧美企业专利布局、本土产业链专利表现等维度展开分析，同时分享本土SiC企业专利技术实力排名。
一、碳化硅功率器件的概念和发展历程
碳化硅（SiC）是一种由硅和碳构成的化合物半导体材料，不仅绝缘击穿场强是硅的10倍，带隙是硅的3倍，高温性能和导热性也更加出色。因此与硅器件相比，碳化硅能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600V-3300V的高耐压功率器件，并且在高温工作环境下仍能保持更好的性能。目前主流功率器件为硅基MOSFET和硅基IGBT，硅基MOSFET开关频率高，更适用于高频中高压领域（100-1000KHz，20-1200V），硅基IGBT耐压很高，更适用于高压中低频领域（＜100KHz，600-6500V）。
由于上述优异的材料特性，相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。
其发展历程大致可以分为以下四个阶段：
早期探索阶段：多年以前，碳化硅作为半导体材料的潜力已为人所知。早在1963年，西屋电气公司申请的专利US3254280A中就提出了一种碳化硅材料的单极晶体管器件，为如今碳化硅器件的微观结构打下了母版。其本质上是一个结型场效应晶体管，在P型SiC主体中形成N型沟道区域，将源极/漏极触点形成到N型沟道，栅极结构位于源极和漏极之间。但在此之后很长一段时间，碳化硅作为半导体材料的研究虽从未间断，但产业化进程却十分缓慢。
技术萌芽阶段：直到1987年，Wolfspeed的前身——Cree公司才建立了第一条SiC商用生产线，拉开了SiC半导体材料商业化的序幕，不过一开始它是被应用在了LED领域；之后在2001年，英飞凌推出了第一款商用的SiC SBD，正式将SiC材料引入了半导体功率器件行业；没过多久，4英寸的碳化硅衬底开始批量生产，包含SiC材料的功率模块也随之出现。但是碳化硅器件在早期成本居高不下，一直较为缺乏合适的应用场景，因此在这一时期，碳化硅功率器件一直是个小众市场。
产业培育阶段：随着2010年，Rohm公司首先量产SiC MOSFET产品，2011年，Wolfspeed公司开始销售SiC MOSFET产品，碳化硅功率器件开始逐步走向大规模的应用，越来越多的半导体企业开始在该领域发力。此外，越来越大尺寸的SiC衬底也分批登上了舞台，逐渐形成了对硅基功率器件市场的攻势。
快速发展阶段：2018年，特斯拉Model 3宣布主驱采用意法半导体的碳化硅模块，用48颗SiC MOSFET替代了原先的84颗硅基IGBT，成为了第一个采用碳化硅功率模块的主流车型，一举将碳化硅功率器件推向了风口浪尖，开启了近5年碳化硅功率器件市场快速发展，在汽车行业渗透率不断提升的新时代。
从制作产业链看，碳化硅半导体功率器件涉及内容总体上分为四大部分，包括衬底、外延、器件、封装。
其中衬底是功率器件的基础，4英寸及以上SiC衬底是SiC功率器件在所有重要领域大规模应用的前提条件；外延方面，SiC采用的是同质外延生长技术，亟需解决的是生长缺陷问题；功率器件模块可分为混合SiC模块和全SiC功率模块；封装材料需要满足导热性、绝缘性、热膨胀系数、耐高温等一系列条件。
根据Yole数据显示，全球碳化硅功率器件市场规模预计将从2021年10.9亿美元增长至2027年62.97亿美元，年均复合增长率达34%，其中新能源车（主逆变器和充电机）、光伏及储能系统贡献了主要增量。新能源车将由从2021年6.85亿美元增长至2027年49.86亿美元，为最大增量领域；光伏及储能预计增长至2027年4.58亿美元；此外轨道交通领域预计也会为功率器件市场贡献超过1亿美元的增量空间。
在此背景下，近年来中国的碳化硅行业也受到了各级政府的高度重视和国家产业政策的重点支持。国家陆续出台了多项政策，鼓励碳化硅行业发展与创新，产业政策持续出台，为碳化硅行业的发展提供了明确、广阔的市场前景，为企业提供了良好的生产经营环境。
为更好呈现目前主要国家和地区、头部企业掌握的专利情况，本报告的专利数据检索使用的是incoPat商用数据库，检索专利数据的地域范围包括全球所有国家和地区。本报告基于碳化硅功率器件产业分类体系，通过前期调研、技术研究和专利数据检索等多方面的反复论证与修改，综合考虑专利检索的可行性、行业的分类习惯以及学科上的技术内涵，全面、准确地开展专利数据检索。
二、碳化硅功率器件行业专利概况
截至2024年1月31日，全球共有56904件与碳化硅功率器件相关的公开专利纳入本报告的研究范围，其中有效专利23957件。在这一时期，碳化硅功率器件技术专利申请量整体呈现上涨趋势，根据历年的专利公开数量、增长速度以及主要专利权人出现的时间，可以将碳化硅功率器件技术的发展历程划分为三个阶段。
技术萌芽期（2005年之前）：在2005年之前，全球碳化硅功率器件的主要创新市场在日本。其中日立、松下、电装、东芝等企业是日本本土的重点创新主体，美国的Wolfspeed、欧洲的西门子也贡献了较多专利。在这一时期，碳化硅功率器件的理论研究和基础设计已经趋于成熟，但相关应用仍尚未铺开。
技术积累期（2005-2018年）：到2005年之后，随着Wolfspeed实现了4英寸碳化硅衬底的量产，美国市场的创新活跃度有了明显的提升，并以较高的专利增长速度逐渐将日本甩在了身后。然而值得注意的是在这一阶段，美国市场的创新活跃与日本企业仍然密不可分，三菱、住友、富士电机等新一批日本龙头企业开始展露头角，申请了大量专利并积极进军美国。加之这一阶段中，碳化硅功率器件的商业化进程迅速打开，罗姆、Wolfspeed等公司开始量产销售SiC MOSFET，造成了美国碳化硅功率器件市场十几年的繁荣。
技术爆发期（2018年至今）：2018年，特斯拉Model 3成为了全球第一个采用碳化硅功率模块的车型；同年，特斯拉进驻上海；次年，国产特斯拉Model 3正式上市。特斯拉进驻中国，叠加我国对新能源汽车行业整体的大力支持，使得我国在碳化硅功率器件领域的专利公开量于2019年超过美国跃居全球第一，并在之后的5年内拉开了与其他国家的差距，也带动了全球碳化硅功率器件领域专利数量的猛增。在这一时期，以中芯国际为代表的中国企业开始在该领域发力，但海外巨头仍然占据全球创新高地。
我国起步较晚，但反超美国已指日可待
截至2024年1月31日，我国共有14284件与碳化硅功率器件相关的公开专利，在全球所有国家中排名第二，仅略低于美国（14898件），其中有效专利6503件。
从专利公开趋势来看，我国在碳化硅功率器件领域后来居上。在2014年之前，我国的专利年公开量一直不到美国的一半，也不及日本，仅比韩国、德国略高。从2015年开始，随着我国新能源汽车战略的明确，碳化硅功率器件市场受到的关注度明显提升，大量国内外企业开始加强在华的专利布局，推动了我国的年专利公开量快速增长。尤其是在2018-2023年间，我国在碳化硅功率器件领域的专利公开量总计增长超过2.5倍，年均增速达到28.7%，成为了推动全球碳化硅功率器件创新增长的最主要推动力。
日企技术输出全球，我国境外专利布局欠缺
从全球碳化硅功率器件领域的专利技术流向来看，中国与美国、欧洲、日本、韩国等国家和地区既是主要的技术来源地，也是主要的市场区域。其中，日本市场虽然创新规模不及美国和中国，但日本企业的创新实力不容小觑。受限于本土市场的规模，以三菱、住友、富士电机等为代表的日本企业积极将其专利技术向其他国家输出，抢占全球创新制高点，日本也因此成为了碳化硅功率器件领域全球创新的策源地。
相较之下，我国在碳化硅功率器件领域是专利净输入国，有较多的专利来自海外创新主体申请。而我国的企业或是出于自身战略规划或区域影响力有限的原因，目前对专利出海并未给予重视。在当前阶段，我国的碳化硅功率器件市场虽然受到了全球瞩目，但国内企业的创新实力和市场影响力仍然有待培养。
日美欧科技巨头占据创新高地，国内企业差距显著
作为近几年新能源汽车行业的热点技术，碳化硅功率器件被国内外创新主体高度关注。在全球碳化硅功率器件专利公开量排名前20的创新主体中，日本企业数量最多，占到9家，并且包揽了前三名，显示出日本企业在该领域的强大统治力。而在国内的创新主体中，只有中芯科技、中科院、电子科大等3家单位上榜，排名也较为靠后。
整体来看，在碳化硅功率器件领域，三菱以4383件的专利数量排名全球第一，遥遥领先于其他竞争对手，独居行业第一梯队；住友、富士电机、英飞凌、台积电等4家公司以1500-2500件左右的专利公开量稳居第二梯队；排名第6-12名的Wolfspeed、东芝、电装等企业的专利公开量均在1000件以上，位居第三梯队；排名第13-20名的企业的专利公开量则在400-900件左右，不同企业间的差距较小，为第四梯队。
在我国碳化硅功率器件专利公开量排名前20的创新主体中，本土企业、高校、研究所仅占7家，其中中芯国际拔得头筹，电子科大、中科院、西安电科等高校和科研机构的创新实力表现在我国也较为突出。
在海外企业中，三菱、英飞凌、台积电等企业在我国布局了大量碳化硅功率器件专利，并且其中有不少早期进入国内的专利目前仍维持有效，市场控制力不容忽视。
经统计，我国碳化硅功率器件领域的境外来华专利共有4744件，占国内专利总量约1/3，其中包括2021件有效专利，占国内有效专利总量的31%。尤其是2018年之后，海外创新主体在我国加快了专利布局的步伐，进入中国的专利数量连年提高。
在此环境下，我国碳化硅功率器件领域的创新主体面临这些境外巨头在华专利的较大制约，业内企业应当重视在产品研发和销售过程中规避专利侵权风险，同时国内创新主体也迫切需要加强专利布局，积极抢占海外市场，以提高自身市场控制力，缓解在该领域受海外企业“卡脖子”的局面。
如上文所述，境外企业有大量专利在华布局，但我国申请人在境外的专利布局较少，仅有1311件，约为境外申请人在华布局的1/4，其中有效专利仅有524件。另一方面，进行境外布局的国内创新主体数量也极少，仅有中芯科技、中科院等寥寥数家，可见在我国碳化硅功率器件领域，具有境外视野和国际战略的企业十分有限。
目前，《汽车半导体市场逆势增长的主力军：从专利角度分析碳化硅功率器件技术》已在爱集微官网与APP正式上线，欢迎登录爱集微官网、爱集微APP，首页点击“集微报告”栏目，即可进行订购。
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“爱集微知识产权”由曾在华为、富士康、中芯国际等世界500强企业工作多年的知识产权专家、律师、专利代理人、商标代理人以及资深专利审查员组成，熟悉中欧美知识产权法律理论和实务，在全球知识产权申请、布局、专利分析、诉讼、许可谈判、交易、运营、一站式托管服务、专利标准化、专利池建设、IPO上市等方面拥有丰富的经验。我们的愿景是成为“ICT领域卓越的知识产权战略合作伙伴”。
3.英特尔全球裁员，爱尔兰5000员工去留未卜，赔偿高达19个月工资
芯片巨头英特尔已开始削减全球1.75万个工作岗位，这是一项大规模削减成本计划的一部分，旨在让公司重回正轨。在爱尔兰，这家芯片制造商最近向其位于莱克斯利普的员工提供了高达50万欧元（约合人民币392.17万元）的自愿离职补偿金。
英特尔表示，将在全球范围内裁员15%以上，并暂停派息，以削减成本并扭转这家曾经领先的芯片制造商的业务。英特尔重组有望到2025年节省100亿美元。
英特尔表示，将为员工提供提前退休和自愿裁员，具体待遇因地点而异。
此外，有报道称，以色列工厂的员工在公司工作五年内可获得4个月的工资，工作超过十年的员工可获得10个月的工资，而工作超过三十年的员工可获得19个月的工资。
在美国，员工获得的补偿金额从13周到12个月多不等，具体取决于工作年限。俄勒冈州媒体称，员工被提供自愿裁员方案，包括13周薪水加上每年额外1.5周薪水。奖金将按比例分配，员工还将获得一年的医疗福利。报道还称，选择提前退休的员工将获得额外8周的工资，以及奖金和医疗福利。
英特尔向爱尔兰员工提供高达50万欧元的自愿离职补偿金
该提案于近期分发给员工，要求员工在8月23日之前申请自愿离职。根据提供的条款，服务超过两年的员工每服务一年可额外获得5周的工资。这是爱尔兰法定的每服务一年2周工资的补充，上限为每周600欧元。
该提案为在英特尔工作不到两年的员工提供每服务一年5周工资。如果自愿离职获批，员工可以获得价值50万欧元的遣散费。申请该提案的员工将于9月6日获悉离职是否获批，获批的员工将于9月30日离开英特尔。
英特尔目前在爱尔兰拥有约4900名员工。如果这家芯片制造商将15%的裁员计划应用于爱尔兰员工，则意味着将解雇约730名员工。如果英特尔没有获得足够的自愿离职人员，它将被迫进行强制裁员。
英特尔是否会将15%的数字直接应用于爱尔兰尚不得而知。英特尔发言人拒绝就具体细节发表评论。她表示，英特尔仍在评估裁员对当地的影响，因此“目前不会透露对爱尔兰的影响数字”。
2022年，英特尔鼓励爱尔兰多达2000名员工休3个月的无薪假以削减成本。该公司在2022年10月至2023年底期间裁员约5%。
值得注意的是，英特尔最近将部分大批量芯片制造流程转移到爱尔兰。在最近与金融分析师的电话会议中，英特尔指出此举是导致其本季度毛利率下降的主要原因。首席财务官David Zinsner表示，此举节省了10亿美元的资本支出，从长远来看将使英特尔受益。
英特尔已在爱尔兰基尔代尔郡莱克斯利普的园区投资数十亿美元，最近在那里开设Fab 34晶圆厂来生产新一代芯片，该公司称这将引领一场“人工智能（AI）革命”。但该公司面临着来自英伟达和AMD的激烈竞争，这两家公司在曾经在由英特尔主导的处理器市场取得了重大进展。
英特尔未能利用并推动ARM等竞争对手实现的显著增长的移动革命，而且尚未从运行AI系统的计算能力需求增长中获得持续收益。
在CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）的领导下，英特尔正试图实施一项大胆的转型计划，将英特尔转变为一家合同芯片制造商，同时也设计和制造自己的芯片。但近期，英特尔代工部门披露了不断加深的运营亏损，在前一年录得52亿美元运营亏损后，2023年亏损70亿美元。该部门2023年的收入为189亿美元，同比下降31%。
4.夏普意外陷亏损：LCD不振，半导体、相机模组业务拟卖鸿海
液晶面板业务不振，鸿海转投资的夏普今年第二季度（4-6月）出乎市场预料、意外陷入亏损。夏普宣布，半导体业务、相机模块业务考虑卖给鸿海。
夏普公司在2024年第二季度（4月至6月）遭遇意外的亏损，这主要由于液晶面板（LCD）业务的不景气所导致。夏普财报显示，由于液晶面板业务的拖累，合并营收同比下滑1.7%，降至5319亿日元。同时，显示业务合并营益亏损58亿日元，这是连续第二个季度的亏损。此外，显示最终获利合并纯益亏损12亿日元，这是连续第四个季度的亏损。就二季度而言，这是自2016年8月被鸿海集团收购以来，夏普首次在第二季度出现亏损。
夏普的组件业务，包括显示器组件和电子组件部门，在第二季度的营收大幅下降22.0%至1986亿日元，并且部门营业损失达到152亿日元。
在各个业务部门中，夏普的显示器组件部门（负责液晶面板业务）营收大幅下降26.9%至1252亿日元，营业损失从去年的173亿日元略微减少到今年的171亿日元。而电子组件部门的营收减少11.9%至733亿日元，营业利润下降7.9%至19亿日元。
相对于组件业务的下滑，夏普品牌业务却有显著增长，包括空调、家电产品、液晶电视、通信业务以及PC业务子公司Dynabook等，营收增长15.1%达到3441亿日元，营业利润增长23.6%达到145亿日元。
尽管面临亏损，夏普维持了本财年（2024年度，2024年4月至2025年3月）的财务预测，预计合并营收将同比减少9.6%至2.1万亿日元，合并营业利润预计为100亿日元，相比上财年的营业损失203亿日元有所改善，合并纯利润预计为50亿日元，而上财年为净亏损1499亿日元。
夏普正在考虑将其半导体业务和智能手机相机模块业务出售给鸿海集团，并计划在本财年内完成交易。夏普社长冲津雅浩表示，选择鸿海作为买家是因为目前夏普已经向鸿海集团供应相机模块等产品，预期能够带来协同效应。
夏普还计划缩小中小尺寸液晶面板工厂的产能，冲津雅浩社长指出，约有150至160名员工将在9月底前被派遣到其他公司。他还提到，夏普在堺市的10代面板厂Sakai Display Product（SDP）预计在8月底停产，之后该厂区和土地将转变为人工智能（AI）数据中心，并可能与软银和KDDI进行合作。
目前，夏普通过其龟山工厂、三重工厂和白山工厂生产中小尺寸面板。根据夏普5月公布的中期运营方针，龟山第二工厂的日产量将从2000片减少25%至1500片，三重第三工厂的产量将从2280片大幅削减52%至1100片，并且堺市工厂的OLED生产线将被关闭。夏普计划之后扩大其车载和虚拟现实（VR）用面板的销售。
5.传台积电将在高雄建设1.4nm晶圆厂
中国台湾高雄除了台积电三座2nm晶圆厂外，还可容纳2nm以下技术设厂需求。近日有消息称，台积电将于高雄推进A14（14埃米，1.4nm）制程，高雄地方部门已盘点下一代先进技术生产的土地需求及水电供给。
对此，台积电表示不回应市场传言。
消息称，台积电在楠梓园区增设第3座晶圆厂是2nm制程，高雄市积极解决水电、土地及周围生活需求等问题，据悉，楠梓园区用地可供台积电兴建5座晶圆厂，业界传出第4、5厂晶圆厂朝A14制程布局，只待台积电公布。
据悉，台积电在楠梓首座2nm制程技术晶圆厂预计2025年量产，其产值将较3nm更高。知情人士称，未来2nm制程会应用于高性能计算（HPC）和智能手机应用领域，还有电动汽车、自动驾驶汽车等，台积电向来超前研发先进技术，为未来市场布局。
对于A14制程，半导体设备行业人士援引台积电制定的High-NA EUV路线图指出，台积电A14制程将于2026年上半年进行风险试产，最快2027年第三季度量产，量产初期仍主要采用ASML第三代标准型EUV设备NXE:3800E。
此外台积电台中中科新厂，业界也传出会采用2nm以下制程技术。
台积电今年营收有望超标，客户积极投片全年将增逾三成
台积电先进制程接单强，在苹果iPhone 16系列新机迈入上市前密集备货期、英伟达H系列芯片持续扩大出货、AMD与高通AI PC处理器放量，以及AMD MI300 AI芯片放大投片量挹注下，分析师陆续调高台积电展望，不仅本季美元营收再超标，2024年业绩年增幅也将优于预期。
总计台积电受惠苹果、AMD、英伟达、高通等四大客户、六款热门芯片投片量源源不绝挹注，带动下半年营收急拉，2024年整体运营将比预期更强，全年营收年增率有望由公司原预期的26%~29%，调升至三成以上，上看31%~34%。
台积电一贯不评论单一客户消息。不过，广为外界熟知，台积电为iPhone 16系列新机芯片独家代工厂，相关订单将成为3nm家族制程最大出海口，尤其今年iPhone 16系列有望全面采用全新A18与A18 Pro芯片，而非A18一款新芯片搭配前一代的A17芯片，更能显著带动先进制程用量与需求。
法人分析，全球有近2.7亿台iPhone机龄逾四年，若在今年汰旧换新，需求超乎预期，台积电下半年运营受惠新机备货，将较上半年显著走强。
除iPhone 16系列新机迈入备货旺季，英伟达虽传出最新Blackwell平台AI芯片大量出货时程延后一季，惟既有Hopper平台H系列AI芯片需求持续强劲，英伟达也扩大投片，同步引爆台积电先进制程接单热转。
另一方面，AMD、高通这两大客户也锦上添花。其中，AMD、高通在AI PC业务火力全开，近期纷纷扩大下单台积电。AMD AI芯片业务更是传来喜讯，上修今年MI300 AI芯片营收预估，首席执行官苏姿丰高呼AI芯片需求"超乎预期"，业界预料也将更倚赖台积电先进制程支持。
台积电高度看好AI后市，董事长魏哲家于今年4月的法说会已上修AI订单能见度与营收占比，其中，订单能见度从原本预期的2027年拉长到2028年。
台积电先进制程技术领先，持续享有领先者红利。法人看好，台积电和全球多数AI应用公司合作，随着相关需求成长，有望带动营收获利增长，外资法人近期纷纷上修台积电AI应用营收中长期预测，估计至2028年AI应用将达台积电总收入35%。 （经济日报）
6.新思科技350亿美元收购Ansys交易受到英国监管机构审查
英国竞争监管机构表示，正在调查芯片设计软件制造商Synopsys(新思科技)以350亿美元收购Ansys是否会影响英国的竞争。
英国竞争和市场管理局 (CMA) 尚未对该交易展开正式调查。
今年1月，芯片设计软件制造商新思科技公布了收购Ansys的计划，Ansys的软件用于制造各种产品，从飞机到网球拍，交易金额为350亿美元。
新思科技专门开发芯片设计工具，这与Ansys的软件相辅相成，用于评估包含这些芯片的更广泛的电子系统。
然而，拟议的合并引起了分析师对已经整合的商业软件行业可能面临的监管挑战的担忧。
今年5月，与台积电和英特尔等主要芯片制造商合作的新思科技表示，中国监管机构已要求他们配合审查这笔交易。
根据其在信息收集过程中收到的评论，监管机构将要么将该交易提交给第一阶段调查，要么清除其所有竞争方面的担忧。
7.AI需求加持，日本十大半导体设备厂Q2营业利润暴增80%
电动汽车、智能手机用需求虽低迷，不过受惠人工智能（AI）需求加持，带动日本十大半导体设备厂上季营业利润暴增80%。
半导体市场对AI的依赖情况日益明显，尽管电动汽车、智能手机用需求低迷下，受惠AI需求加持，东京电子（TEL）等日本十大半导体设备厂第二季度（2024年4-6月）合计营业利润约3200亿日元，较去年同期暴增八成。
日本十家半导体设备厂中，高达七家上季营业利润呈现改善，其中东京电子、Screen Holdings、DISCO（迪思科）获利创新高，而东京电子、爱德万测试（Advantest）、Screen上修2024财年（2024年4月至2025年3月）预估。
报道指出，因AI用半导体需求扩大，台积电7月时将今年全年资本支出自原先的280亿~320亿美元微调至300亿~320亿美元，而计划量产2nm芯片的日本Rapidus也正在北海道兴建工厂，随着半导体厂商纷纷祭出大规模投资计划、也让相关设备厂受惠。
爱德万7月31日公布财报指出，因生成式AI用半导体需求攀高、推升半导体测试设备需求显著增加，具体来说，高性能DRAM（HBM）用测试设备需求旺盛、SoC半导体用测试设备需求以超乎预期的速度急速增长，因此2024财年合并营收目标自原先（4月时）预估的5250亿日元上修至6000亿日元、合并营业利润目标自900亿日元上修至1380亿日元、合并纯益目标也自原先预估的670亿日元上修至1050亿日元。（科技新报）
8.成本飙升导致Apple Watch MicroLED项目被迫取消，LG敦促苹果支付费用
据报道，苹果正在考虑推出一款采用MicroLED显示屏的Apple Watch，旨在摆脱长期使用的OLED面板。然而，由于明显的技术困难和潜在的供应链限制，导致苹果公司放弃了该计划。苹果选择LG作为其主要的MicroLED供应商，在取消该产品后，它产生了巨额成本。LG目前正在向苹果寻求赔偿，以期收回面板测试和生产相关的成本。
LG在为苹果开发MicroLED面板方面取得了长足进步，并为这个从未面世的项目投入了大量资金。该供应商在美国购买了14项专利，以确保从中国台湾Ultra Display获得该技术，到目前为止，全部成本尚未支付。由于LG也是苹果iPhone OLED显示屏的主要供应商，因此苹果将如何回应这些指控以及是否会做出任何赔偿仍有待观察。
除此之外，LG还将其设备从庆尚北道龟尾转移到京畿道坡州，包括进一步的运费，因为它希望确保microLED背板工艺的空间。该供应商还聘请了一个专门的工作组来开展该项目，目前尚不清楚人员是否在取消后进行了重新调整或被迫辞职。
据报道，LG已花费数十亿韩元为苹果Apple Watch的microLED显示屏做准备。据报道，尽管新显示技术比标准OLED面板具有明显的优势，但苹果并没有意识到其经济可行性，而标准OLED面板仍然优于LCD显示屏。与传统的OLED面板相比microLED面板更亮，色彩更准确，但它们的价格也高得多，这也可能会提高Apple Watch的价格。
苹果预计将从Apple Watch开始其microLED转型，一旦该技术在生产和成本方面取得进展，它就会将其移植到iPhone和iPad产品线上。目前尚不清楚该公司是永久放弃microLED显示屏，还是将该技术保留到以后。目前，LG正在向苹果寻求开发和额外成本的补偿，但iPhone制造商是否会支付或达成另一项协议仍有待观察。
