供应链透露，已接获三星通知，其高频宽存储器（HBM）产品HBM3e通过英伟达（NVIDIA）认证，预计本季开始供货，并将提拨高达三成既有DRAM产能生产HBM3e，造成庞大的产能排挤效应，“要赶紧备货（DRAM）”，料将引爆DRAM涨价潮重头戏，南亚科、威刚、十铨等台厂坐享涨价利益。
业界分析，三星是全球存储器龙头，DRAM市占高达45%以上，以三星拟提拨三成产能生产HBM3e换算，全球现有超过13%的DRAM产能不再投入DDR4或DDR5等DRAM，导致DRAM市场供给更紧俏。
外资摩根士丹利认为，DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”，标准型DRAM供应缺口更甚于HBM、高达23%，价格将一路上涨。
伴随消费性电子旺季来临，在供给锐减、需求大增下，推升DRAM价格走势可期，法人预期，南亚科、威刚、十铨等台湾DRAM相关厂商将受惠。
HBM是AI服务器关键存储器元件，近期供不应求，惟三星在HBM发展遭二哥SK海力士超车。先前传出三星送样HBM产品给英伟达未过关，如今三星卷土重来，有助舒缓HBM缺货态势，助力AI产业发展之际，对传统DRAM产业也有重大意义。
台湾存储器厂均正向看待国际存储器大厂大举将产能转向生产HBM产品，产生的产能排挤效应，导致DDR4、DDR5供给受限、价格上扬态势。
南亚科总座李培瑛先前指出，HBM、DDR5供不应求，有望拉抬DRAM市况，预期南亚科下半年将维持全产能生产，以满足市场需求。
李培瑛认为，南亚科较有把握调涨DDR4价格，主因是三大原厂产能排挤下，将减少DDR4产出，预期将调整相关市场库存，而在需求大于供给下，南亚科也会有较大的议价能力。
威刚董事长陈立白也对整体存储器市况看法正向，他提到，目前上游原厂对价格态度依旧相当正向积极，产能配置以毛利率最高的HBM优先配置，之后才是一般用途的DDR5与DDR4，资本支出也以获利为导向，看好除了DDR5价格续涨外，DDR4待库存去化告段落，价格也将从8月开始进入第二波涨势，涨幅至少30%以上。
十铨也预告，DDR5由于原厂的供给量不足，价格仍会持续微幅上扬，消费级AI应用将会于今年第4季后，随着相关终端装置新品陆续推出，将带动需求上扬。
三星预计7月31日召开财报会议，也让外界期待公布相关HBM进度与后续产能规划。外传三星也已向供应链伙伴预告提早备货，让相关产能转移至HBM生产的预期再增添可信度。
另外，韩国媒体报导，三星在HBM持续乘胜追击，计划以先进的4纳米制程，量产第六代高频宽存储器（HBM）芯片“HBM4”，直接杠上SK海力士与台积电（2330）联盟。另据分析师估算，三星电子半导体部门第2季销售可能超越台湾台积电，为近两年来首见。
