海外芯片股一周动态:三星Q2利润超10万亿韩元,日本八大制造商斥资300亿美元参与生产竞赛

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上周,三星公布Q2利润超10万亿韩元,大幅超出市场预期;日本八大芯片制造商将斥资300亿美元参与生产竞赛;英伟达H200订单Q3开始交付,预计B100明年上半年出货;Nepes将在重组后出售亏损严重的芯片封装部门;手机旗舰芯片Q4齐发,台积电3nm再添大单;三星发布首款3nm可穿戴设备芯片Exynos W1000,采用FOPLP封装;英特尔Arc Xe2 “Battlemage”独立GPU采用台积电4纳米工艺制造;周星工程开发更多ALD技术,减少EUV工艺步骤。

财报与业绩

1.三星公布Q2利润超10万亿韩元大幅超出市场预期——三星电子7月5日公布第二季度初步业绩,显示该公司今年第二季度(4月至6月)销售额74万亿韩元(当前约3900.75亿元人民币),营业利润10.4万亿韩元(当前约548.21亿元人民币)。与上一季度相比,分别增长2.9%和57.3%。这一业绩明显超出证券市场预期的8.3万亿韩元营业利润。

2.联电6月营收175.48亿元新台币同比环比均下滑——7月4日,晶圆代工厂联电发布6月财报,合并营收175.48亿元新台币(单位下同),较上月减少10.05%,较去年同期减少7.91%。累计第二季度合并营收为567.99亿元,较上季小幅增长3.97%,也较去年同期微幅增长0.89%,创同期次高。今年上半年,联电累计合并营收为1114.31亿元,较去年同期小幅增长0.84%。

3.南亚科:6月营收同比增长36.8%市况正逐季好转——7月3日,DRAM大厂南亚科公布6月合并营收新台币33.63亿元,环比增长0.35%、同比增长36.83%。第二季合并营收新台币99.21亿元,环比增长4.4%、同比增长41.18%。南亚科技总经理李培瑛此前表示,今年存储产业复苏关键因素在于AI服务器动能带动HBM需求大增,但HBM制造困难、良率低,会消耗较多产能,进而促进库存消化,目前市况将逐季好转。

4.环球晶Q2营收153亿元新台币,同比下滑14.36%——环球晶7月8日公布6月财报,合并营收53.4亿元新台币(单位下同),环比增长2.66%,同比去年6月下滑15.32%。环球晶今年第二季度合并营收达153.3亿元,较第一季度增长1.58%,比去年同期下滑14.36%。2024年上半年,环球晶累计合并营收为304.1亿元,较去年同期减少16.71%。

投资与扩产

1.Rogue Valley新建300mm晶圆厂将获《芯片法案》670万美元补贴——纯MEMS(微机电系统)晶圆代工厂Rogue Valley Microdevices将根据美国《芯片法案》获得高达670万美元的政府直接资助,用于建设下一个300mm晶圆厂。Rogue Valley已与美国商务部签署一份不具约束力的初步条款备忘录,以支持其在佛罗里达州棕榈湾建设第二座晶圆厂,该晶圆厂将具备300mm晶圆的生产能力。

2.韩企SKC美国工厂竣工,即将开始玻璃基板生产——韩国SK集团旗下的半导体材料大厂SKC近日宣布,其美国子公司Absolics在佐治亚州投资约2.22亿美元建设的工厂已经竣工,开始批量生产玻璃基板原型产品。业界分析,这标志着全球玻璃基板市场进入关键时刻。

3.日本八大芯片制造商将斥资300亿美元参与生产竞赛——近日有报道称,包括索尼集团和三菱电机在内的日本主要半导体制造商计划到2029年投资约5万亿日元(约合310 亿美元),以提高功率器件和图像传感器的产量。

4.安森美宣布收购CQD传感器技术公司SWIR Vision Systems——安森美半导体(Onsemi)近日宣布已完成对SWIR Vision Systems的收购,后者是一家基于胶体量子点(CQD)的短波红外(SWIR)技术的领先供应商。此次收购旨在将SWIR Vision Systems的先进技术集成到安森美的CMOS传感器中,通过扩展SWIR光谱来增强其捕捉更广泛图像的能力。

市场与舆情

1.英伟达H200订单Q3开始交付预计B100明年上半年出货——据报道,英伟达AI GPU H200上游芯片端于Q2下旬起进入量产期,预计在Q3以后大量交货。供应链指出,目前待出货的客户端订单仍多集中于HGX架构的H100,H200比重有限,Q3将量产交货的H200主要为英伟达DGX H200;至于B100则已有部分能见度,预计出货时程落在明年上半年。

2.铠侠产能满载传7月量产最先进NAND Flash产品——据报道,铠侠产线稼动率已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND Flash)产品,借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉,铠侠将开始量产的NAND Flash产品堆叠218层数据存储元件,和现行产品相比,存储容量提高约50%,写入数据时所需的电力缩减约30%。

3.三星系统LSI部门重组:减缓开发汽车半导体,专注于AI芯片——作为战略调整的一部分,三星电子正在减缓开发汽车半导体的速度,专注于人工智能(AI)芯片。据报道,三星负责芯片设计的系统LSI部门近期进行了业务和组织重组,优先考虑AI芯片开发。此次重组导致对下一代汽车处理器“Exynos Auto”进行重新考量。

4.Nepes将在重组后出售亏损严重的芯片封装部门——当地媒体5日报道,Nepes已决定出售其亏损严重的芯片封装部门。消息人士称,该公司已通知向Nepes Laweh提供贷款的私募股权基金,计划重组并出售该业务。他们表示,Nepes计划在Nepes Laweh留下少量的研究人员,然后将其出售。他们补充说,Nepes Laweh面板级(PLP)封装工厂已停止运营。

5.手机旗舰芯片Q4齐发,台积电3nm再添大单——联发科、高通新一波5G手机旗舰芯片大战将于第四季开打,联发科推出天玑9400,与高通骁龙8 Gen 4直球对决,两大厂新芯片都以台积电3nm制程生产,近期进入投片阶段,伴随英伟达、AMD、苹果也积极争取台积电3nm产能,台积电再添大单,先进制程业务热转。

技术与合作

1.三星发布首款3nm可穿戴设备芯片Exynos W1000采用FOPLP封装——三星于7月3日发布其首款采用3nm GAA先进工艺的可穿戴设备SoC芯片Exynos W1000,该产品应用了先进制造工艺和封装方法,采用扇出型面板级封装(FOPLP)以实现更小体积和热性能,同时采用系统级封装(SiP)集成电源管理芯片(PMIC),使用ePoP封装,将DRAM、NAND存储芯片共同集成。

2.合晶两岸同步扩建12英寸硅晶圆厂,有望于2025年底完成——半导体硅晶圆大厂合晶7月3日宣布,响应地缘政治布局在两岸扩建的12英寸硅晶圆厂,可望在2025年底完成、2026年量产,迎接下波半导体荣景。合晶董事长焦平海受访时表示,合晶已走过半导体景气谷底,第二季度运营明显回升,虽然未呈现V型反转,却已重回上升轨道。

3.苹果M5芯片首度曝光:台积电代工用于人工智能服务器——7月5日,据媒体报道,苹果M5系列芯片将由台积电代工,使用台积电最先进的SoIC-X封装技术,用于人工智能服务器。苹果预计在明年下半年批量生产M5芯片,届时台积电将大幅提升SoIC产能。目前苹果正在其AI服务器集群中使用M2 Ultra芯片,预计今年的使用量可能达到20万左右。

4.英特尔Arc Xe2 “Battlemage”独立GPU采用台积电4纳米工艺制造——英特尔为其基于 “Battlemage”图形架构的下一代Arc Xe2独立图形处理器选择了台积电4纳米EUV代工节点。这标志着英特尔基于台积电6纳米DUV工艺制造的 Arc“Alchemist”系列迎来一轮升级。与N6相比,台积电N4节点在晶体管密度、性能和能效方面都有显著提高,这使得英特尔最大的“Battlemage”变体的Xe内核数量几乎翻了一番。

责编: 邓文标
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