长飞先进武汉基地封顶,200亿重大项目将年产36万片碳化硅晶圆

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据中国光谷消息,6月18日,随着晶圆制造厂房最后一斗混凝土完成浇筑,年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构正式封顶。该基地于去年9月1日正式动工,预计明年7月量产通线。

(来源:中国光谷)

长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产,该项目投产后可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块,广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。

据悉,该项目总投资预计超过200亿元,占地面积约22.94万平方米,建筑面积约30.15万平方米,主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。(校对/韩秀荣)

责编: 韩秀荣
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