基本半导体“一种离子注入沟道效应抑制方法”专利获授权

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天眼查显示,深圳基本半导体有限公司近日取得一项名为“一种离子注入沟道效应抑制方法”的专利,授权公告号为CN117371258B,授权公告日为2024年4月30日,申请日为2023年12月8日。

本申请公开了一种离子注入沟道效应抑制方法,所述方法包括确定屏蔽层厚度,仿真获得形成所述屏蔽层的氧化仿真参数;对确定厚度的所述屏蔽层进行离子注入仿真,获得离子注入的注入仿真参数;以所述氧化仿真参数和所述注入仿真参数为依据,进行实际流片;还包括选取外延片,以所述氧化仿真参数和所述注入仿真参数为依据,在所述外延片上热氧化形成所述确定厚度的屏蔽层,并在形成有所述屏蔽层的外延片上进行离子注入;在已完成离子注入的外延层上形成碳保护膜,完成激活退火后去除所述外延层上覆盖的碳保护膜,本申请通过设置屏蔽氧化层将注入的离子在进入SiC晶片前的运动方向变为无序化,有效抑制了SiC晶片离子注入过程中的沟道效应。


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