格芯获美国政府3500万美元资金,加速制造下一代氮化镓芯片

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集微网消息格芯(GlobalFoundries)宣布已获得美国政府提供的3500万美元联邦资金,以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓(GaN)芯片。

格芯佛蒙特州半导体制造工厂与美国政府合作,继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。

格芯一直是美国政府资助的受益者,其中包括2020至2022年提供的4000万美元支持,这充分利用了格芯佛蒙特州团队人才及其200mm半导体(200mm是最先进的GaN芯片技术)制造经验,并将其应用于硅基氮化镓制造。

格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示:“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术,对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。”

利用美国国防部可信访问计划办公室(TAPO)提供的3500万美元新资金,格芯计划购买更多设备来提升开发和原型设计能力,向大规模200mm硅基氮化镓半导体制造迈进。作为投资的一部分,格芯计划实施新的能力,以减少格芯及其客户面临镓供应链限制的风险,同时提高美国制造氮化镓芯片的开发速度、供应保证和竞争力。

格芯佛蒙特州工厂拥有1800名员工,该工厂是DMEA(国防微电子)认证的可信代工厂,与美国国防部合作生产安全芯片,用于美国一些最敏感的航空航天和国防系统。

(校对/张杰

责编: 李梅
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