SK海力士量产世界最高238层4D NAND闪存

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SK海力士8日宣布,已开始量产238层4D NAND闪存,并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前,SK海力士于去年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。

SK海力士强调:“公司以238层NAND闪存为基础,成功开发适用于智能手机和PC的客户端SSD(Client SSD)解决方案产品,并在5月已开始量产。公司在176层甚至在238层产品,都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力,期待这些产品在下半年能够起到改善公司业绩的牵引作用。”

238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片,生产效率比上一代的176层提升了34%,成本竞争力得到了大幅改善。此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb(千兆比特),比上一代的速度快50%。并且也改善了约20%的读写性能,由此公司自信,可将为采用该产品的智能手机和PC客户提供更高的性能。

SK海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后,首先向移动端产品供应238层NAND闪存,随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0*的PC固态硬盘(SSD)和数据中心级高容量固态硬盘产品等。

*PCIe 5.0:PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)是为高速输入、输出数据而开发的串行结构的接口规格。PCIe 5.0可提供PCIe 4.0的二倍带宽(32GT/s,千兆传输/秒)。

SK海力士238层NAND担当副社长金占寿表示:“公司今后将继续突破NAND闪存技术局限,并加强竞争力,在即将到来的市场反弹周期迎来大转机。”

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