中芯国际“半导体器件及其形成方法、半导体结构”专利获授权

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天眼查显示,中芯国际“半导体器件及其形成方法、半导体结构”专利获授权,授权公告日为5月19日,授权公告号为CN110828665B。

该专利的专利权人为中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司。

图片来源:天眼查

专利摘要显示,一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:形成基底,基底包括电阻区;形成覆盖基底的第一介质层;形成覆盖第一介质层的牺牲层;依次图形化牺牲层和第一介质层,在电阻区的第一介质层内形成凹槽;在凹槽的底部和侧壁上形成电阻材料层,电阻材料层还覆盖剩余牺牲层;形成覆盖电阻材料层的刻蚀停止材料层;去除高于凹槽顶部的刻蚀停止材料层和电阻材料层,保留凹槽中的剩余刻蚀停止材料层作为刻蚀停止层,保留凹槽中的剩余电阻材料层作为电阻层;形成刻蚀停止层和电阻层后,去除剩余牺牲层。

据悉,本发明通过形成牺牲层和凹槽,增大了后续形成互连通孔的工艺窗口,有利于改善器件的性能和良率。(校对/韩秀荣)

责编: 韩秀荣
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