5月18日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。
据悉，与上一代产品相比，三星最新的12纳米级DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圆生产率提高了20%。三星12纳米级工艺技术的开发基于一种新型高κ材料，这种新型材料有助于提高电池电容。高电容使数据信号出现明显的电位差，从而更易于准确地区分。同时，三星在降低工作电压和噪声方面的成果，也让此解决方案更加适用于客户公司的需求。
此外，三星为满足客户需求将持续扩大12纳米级DRAM的产品阵容，以支持越来越多的应用，助力数据中心、人工智能在内的下一代计算。（校对/刘沁宇）
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