【专利解密】安努奇提高滤波器电感品质因数

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【爱集微点评】安努奇的滤波器专利,衬底采用通孔的设置方式,使得第一封装载体在与衬底连接时,可与通孔对应的上/下焊盘电连接,因此第一封装载体的高度设置更加灵活,而第一封装载体的高度直接影响电感的品质因数,所以可以设置第一封装载体的高度为电感品质因数最高时的高度,提升了电感的品质因数。

近日,世界移动通信大会(MWC 2023)在巴塞罗那顺利召开,在这期间云塔科技(安努奇)发布了世界最全滤波器产品。

在现代无线通信系统中,滤波器的应用极为广泛,是无线通讯射频前端中必不可少的元器件。随着5G、物联网等无线通信领域的飞速发展,滤波器的需求数量大大提升,由此对产品小型化和高性能的要求越来越高。滤波器中重要器件包括电容与电感,而电容与电感的品质因数直接影响了滤波器的性能,但现有技术中电容与电感的品质因数普遍较低。

为此,安努奇于2022年11月15日申请了一项名为“一种滤波器封装结构及其制作方法”的发明专利(申请号:202211427464.1),申请人为安徽安努奇科技有限公司。

图1滤波器封装结构100示意图

图1为本专利提出的一种滤波器封装结构100示意图,滤波器封装结构100包括电容芯片110、第一封装载体120、第二封装载体130以及第三封装载体140。其中,电容芯片110包括衬底111与电容主体112,电容主体112位于衬底111上。衬底111上设置一个至多个通孔180,通孔180内填充有金属,同时衬底111的顶面与底面均有与金属连接的上焊盘150与下焊盘160,且每个第一封装载体120分别与一个通孔180对应的上焊盘150和下焊盘160电连接,而第二封装载体130与电容主体112电连接。另外电容芯片110、第一封装载体120以及第二封装载体130均塑封于第三封装载体140内。

图2 衬底的一种俯视图

图3 滤波器封装结构的第二种结构示意图

另外,结合图1,当第一封装载体120与通孔180对应的上焊盘150与下焊盘160均电连接时,第一金属柱122与通孔180对应的上焊盘150电连接,第二金属柱125与通孔180对应的下焊盘160电连接。请参阅图2与图3,当第一封装载体120与通孔180对应的上焊盘150或下焊盘160电连接时,则第一金属柱122与通孔180对应的上焊盘150电连接,或第二金属柱125与通孔180对应的下焊盘160电连接。

图4滤波器封装结构制作方法的流程图

图4为本专利提供了一种滤波器封装结构制作方法的流程图,用于制作上述的滤波器封装结构。首先提供一电容芯片(S102);然后对电容芯片进行塑封,并形成第三封装载体(S104);接着对第三封装载体进行处理,以在第三封装载体内形成第一封装载体与第二封装载体,其中,每个第一封装载体分别与一个通孔对应的上焊盘和下焊盘均电连接,第二封装载体与电容主体电连接,且第一封装载体和第二封装载体形成一至多个感性元件(S106)。

简而言之,安努奇的滤波器专利,衬底采用通孔的设置方式,使得第一封装载体在与衬底连接时,可与通孔对应的上/下焊盘电连接,因此第一封装载体的高度设置更加灵活,而第一封装载体的高度直接影响电感的品质因数,所以可以设置第一封装载体的高度为电感品质因数最高时的高度,提升了电感的品质因数。

云塔科技(安努奇)坐落于合肥高新区创新产业园,在2017年成立之初,就汇聚半导体行业资深专家和国内外名校优秀人才创立。现如今具备自主知识产权专利已超过100项,同时多次获得安徽省荣誉奖项,相信在新的一年里,云塔科技(安努奇)可以为我们带来更多的优质产品。

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(校对/赵月)

责编: 李梅
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