至讯创新中小容量19nm 2D NAND研制成功，正进行A轮融资

日前，至讯创新科技（无锡）有限公司（以下简称“至讯创新”）宣布，其完全自主研发的国内首款中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片研制成功，预计将于明年年初全面投放市场。

至讯创新称，该产品将覆盖512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V电压，并采用业界主流串行接口SPI和WSON封装；其可满足消费级产品对可靠性的需求，还可达到工规和车规等高可靠性应用场景对擦写次数和数据保留的要求。

至讯创新成立于2021年10月，专注于中小容量存储芯片的研发，团队可全面覆盖设计、测试、工艺提升等关键环节。

至讯创新官方消息显示，至讯创新联合创始人、COO王超表示，目前公司正进行A轮融资。（校对/姜羽桐）