南麟电子再获一项发明专利证书

来源:爱集微 #南麟电子#
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上海南麟电子股份有限公司(以下简称:南麟电子)日前发布公告称,公司于2022年9月9日收到中华人民共和国国家知识产权局颁发的《发明专利证书》。

该专利名称为“基于肖特基MOSFET的单片集成式光电耦合器及制备方法”,专利号为ZL 2022 1 0700978.3。国家知识产权局的专利摘要显示,本发明在同一半导体基底上制备肖特基MOSFET外围电路和光子集成电路,通过外围电路控制光子集成电路中可见光的发射与检测,实现完整的信号片内传输功能,以同时制备高性能的光电器件和电子器件;硅基衬底可利用成熟的MEMS工艺线进行加工,对批量化生产和降低生产成本具有重要意义;肖特基MOSFET的栅极漏电流小,源漏区域的结深较浅,结电容小,短沟道效应不明显,易替代现有的硅基MOSFET实现集成电路的移植;肖特基MOSFET的制备无需复杂的离子注入技术,加工过程中无需引入外延材料的生长,同时可与光子集成电路的制备工艺完全兼容,降低了单片光电子集成电路加工的难度。

南麟电子在公告中指出,该项发明专利的取得体现了公司持续自主创新能力,有利于增强公司自有知识产权的保护力度,提升公司的核心竞争力。

(校对/王云朗)

责编: 李梅
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