上海南麟电子股份有限公司（以下简称：南麟电子）日前发布公告称，公司于2022年9月9日收到中华人民共和国国家知识产权局颁发的《发明专利证书》。
该专利名称为“基于肖特基MOSFET的单片集成式光电耦合器及制备方法”，专利号为ZL 2022 1 0700978.3。国家知识产权局的专利摘要显示，本发明在同一半导体基底上制备肖特基MOSFET外围电路和光子集成电路，通过外围电路控制光子集成电路中可见光的发射与检测，实现完整的信号片内传输功能，以同时制备高性能的光电器件和电子器件；硅基衬底可利用成熟的MEMS工艺线进行加工，对批量化生产和降低生产成本具有重要意义；肖特基MOSFET的栅极漏电流小，源漏区域的结深较浅，结电容小，短沟道效应不明显，易替代现有的硅基MOSFET实现集成电路的移植；肖特基MOSFET的制备无需复杂的离子注入技术，加工过程中无需引入外延材料的生长，同时可与光子集成电路的制备工艺完全兼容，降低了单片光电子集成电路加工的难度。
南麟电子在公告中指出，该项发明专利的取得体现了公司持续自主创新能力，有利于增强公司自有知识产权的保护力度，提升公司的核心竞争力。
（校对/王云朗）
