江丰电子：拟4亿元投建超大规模集成电路用高纯金属溅射靶材（扩建）项目

集微网消息，11月1日，江丰电子公告，拟与海宁市尖山新区管委会签署投资协议书，建设浙江海宁基地超大规模集成电路用高纯金属溅射靶材（扩建）项目，计划投资总额为4亿元，项目的实施将进一步提高公司铜靶材产品的规模化生产能力。

江丰电子称，公司本次拟投资建设的浙江海宁基地超大规模集成电路用高纯金属溅射靶材（扩建）项目，主要生产铜及铜合金靶材。项目的实施将进一步提高公司铜靶材产品的规模化生产能力，提升公司产品的市场占有率，实现公司业务的稳健发展。

据悉，随着全球集成电路产业的快速发展，超大规模集成电路用溅射靶材的市场需求也持续增长，本次投资符合公司整体战略目标的实现与经营发展的需要，同时也是为了提升市场占有率，提高铜靶材产品的规模化生产能力。

不久前，江丰电子发布三季报，公司2021年前三季度实现营业总收入11.2亿元，同比增长32.9%；实现归母净利润9525.5万元，同比下降13.4%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润6882.7万元，同比增长15.94%。

江丰电子自成立以来一直从事高纯溅射靶材的研发、生产和销售业务，主要产品为各种高纯溅射靶材，包括铝靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等，这些产品主要应用于半导体（主要为超大规模集成电路领域）、平板显示、太阳能等领域。超高纯金属及溅射靶材是生产超大规模集成电路的关键材料之一。

目前，江丰电子的超高纯金属溅射靶材产品已应用于世界着名半导体厂商的先端制造工艺，在7纳米技术节点实现批量供货，应用于5纳米技术节点的部分产品评价通过并量产，部分产品进入验证阶段。（校对|Arden）