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【专利解密】多维科技致力创新磁开关传感器

来源:爱集微

#专利解密#

10-25 10:07

【嘉勤点评】江苏多维科技的TMR开关传感器专利,通过将多个磁电阻传感单元串之间进行串联、并联或者串并联形成两端口结构,使传感器具有低功耗,小尺寸,易于操作的优点。

集微网消息,专业的隧道磁阻(TMR)磁传感器领先供应商多维科技有限公司即将在Sensors Converge 2021展会上推出可预置开关点的TMR磁开关传感器 TMR13DX系列。TMR13DX支持出厂前要求对磁场开关点进行预置,为包括水电气表、接近开关、液位感应、直线和旋转位置检测等多种应用场合提供了更高的通用性和性能的一致性。

TMR线性磁电阻传感器电桥,通常将一个具有单一磁场敏感方向的推磁电阻传感单元切片翻转180度,获得X轴的挽磁电阻传感器单元切片,而后通过绑定连接两个切片,制备方法简单,然而需要操作2个切片在同一平面内进行精确定位,增加了由于操作失误导致的传感器的测量精度损失的可能性。而采用多层薄膜结构的铁磁参考层的设计,可以实现相反铁磁参考层的推磁电阻传感单元和挽磁电阻传感单元的制造,但由于在沉积多层薄膜时需要引入至少2种多层薄膜结构,增加了微加工工艺的复杂性。

为此,江苏多维科技于2017年12月14日申请了一项名为“一种磁滞激光编程的单切片TMR开关传感器”的发明专利(申请号: 201721743900.0),申请人为江苏多维科技有限公司。

图1 磁滞开关传感器的结构图

图1为本发明提出的磁滞开关传感器的结构图,磁滞激光编程的单切片TMR开关传感器包括两部分:磁滞开关传感器,ASIC电路,其中磁滞开关传感器对于外磁场源产生感应,并将磁场信号转变成电信号经ASIC电路转变成开关电平-磁场信号,其中外磁场源可以为永磁体的N或者S极。

磁滞开关传感器包括衬底,以及位于衬底上的一个或者多个磁电阻传感臂,磁电阻传感臂为一个或多个磁电阻传感单元串之间通过串联、并联或者串并联而成的两端口结构,磁电阻传感单元串包括一个或多个串联磁电阻传感单元,且磁电阻传感单元为TMR传感单元。

磁电阻传感单元为椭圆、菱形、或中间矩形两端锥形的双轴对称形状,其长轴为L为N或S方向,短轴为W,其钝化层为对激光透明的材料,上电极层材料为至少150nm厚度的Cu、Al、Au、Ti或Ta金属导电材料,以防止被激光损伤。中间绝缘层为Al2O3或者MgO材料,反铁磁层为高阻塞温度材料,自由层为高各向异性场Hk。当磁电阻传感单元之间通过长距离所述下电极层互联时,下电极层所在区域被上电极层所在区域覆盖,以保护下电极层免遭激光损伤。

简而言之,江苏多维科技的TMR开关传感器专利,通过将多个磁电阻传感单元串之间进行串联、并联或者串并联形成两端口结构,使传感器具有低功耗,小尺寸,易于操作的优点。

江苏多维科技是全球性的高端磁阻传感器技术先行者,专业为全球客户提供高品质和创新型的磁阻传感器芯片以及稳定、精确的磁场检测方案。在核心团队的带领下,多维科技致力于为客户带来更多附加值,并确保他们的成功。

关于嘉勤

深圳市嘉勤知识产权代理有限公司由曾在华为等世界500强企业工作多年的知识产权专家、律师、专利代理人组成,熟悉中欧美知识产权法律理论和实务,在全球知识产权申请、布局、诉讼、许可谈判、交易、运营、标准专利协同创造、专利池建设、展会知识产权、跨境电商知识产权、知识产权海关保护等方面拥有丰富的经验。

(校对/holly)

责编: Aki

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