2025年11月26-28日，第十七届全国低温工程大会在伟人故里广东中山顺利召开。中国科学院院士王秋良、中国工程院院士李东、中国制冷学会低温专业委员会主任公茂琼、中山市副市长欧阳锦全、中山先进低温技术研究院院长龚领会等嘉宾出席本次会议。本届大会以“创新低温技术，驱动绿色发展”为主题，由中国制冷学会低温专业委员会和中山先进低温技术研究院联合主办，来自全国的千位低温界专家学者、企业代表齐聚一堂，共话低温技术创新突破，共商产业协同发展路径，共绘科技赋能高质量发展的崭新蓝图。中科富海科技股份有限公司受邀参加本次会议。

腾冲青年科学家论坛在2025年12月5日举行，共有9名青年科学家获得“腾冲青年科学家奖”，提名奖9人。这些获奖者分别涵盖了数学物理与天文科学、材料科学、生命科学、医学医药科学、信息与智能科学、先进制造科学、生态环境与地球科学、航空航天科学、艺术与交叉科学等多个领域。同时，“腾冲青年科学家奖”还特别设立了“腾冲青年科学家奖提名奖”，表彰在基础研究、技术创新等方面做出突出科研贡献的青年科学家。这将进一步激发青年科技人才的积极性，推动他们在科技前沿领域取得更大的成就。

01 会议介绍 主办/承办单位 科技浪潮席卷全球，半导体产业正站在“后摩尔时代”的关键转折点——当芯片制程逼近物理极限，先进封测从“芯片制造的后端环节”，一跃成为“延续摩尔定律、支撑AI/汽车电子等终端爆发”的核心引擎。 在此背景下，我们诚挚邀请您出席2026中国半导体先进封测大会暨2026中国国际半导体封测大会： 大会主题：智封芯时代 链创未来。 简单说，这场大会就是聚焦半导体“先进封测如何解决行业真问题” 🔹 聊技术： 比如Chiplet（芯粒）怎么量产、3D堆叠怎么突破成本，这些都是“卡脖子”的硬核创新； 🔹 通产业链： 芯片设计、晶圆制造、封测厂怎么协同？国产设备/材料怎么替代进口？把...

中国内地及港澳地区高校、科研机构与企业界科学家70多人入选 IEEE Fellow，凸显我国科技人才在国际学术舞台上的卓越影响力与持续攀升的创新活力。

中国内地及港澳地区高校、科研机构与企业界的科学家70多人上榜，入选人数再创新高，彰显我国科技人才在国际学术舞台上的卓越影响力与持续攀升的创新活力。

近日，国际电工委员会纳米电工产品与系统技术委员会（IEC/TC 113）正式发布国际标准IEC TS 62607-6-23:2025 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-23: Graphene-related products - Sheet resistance, carrier density, carrier mobility: Hall bar method（纳米制造 - 关键控制特性 - 第6-23部分：石

摘要：本文主要介绍了中国半导体正能量传播平台，该平台为中国半导体产业提供了一个展示创新能力和影响力的重要平台。同时，文章还提到了三位中国半导体领域学者当选的情况，并对他们的研究成果进行了评价。 叶甜春因在集成电路制造技术、新型器件及微细加工技术领域的研究工作中取得了多项具有国内领先或国际先进水平的科研成果而当选。 吴华强则因其在忆阻器与存算一体技术领域的贡献而当选。 童美松因为对计算电磁学方法的杰出贡献而当选。 张薇因为在先进节能逻辑技术的发展中发挥了领导作用并做出贡献。 汪涵因为对2D晶体管技术的贡献而当选。 叶主辉和叶薇因为在先进节能逻辑技术的发展中发挥了领导作用并做出贡献而当选。 谢洪杰因为对高迁移率SiGe沟道FinFET和全栅极CMOS技术方面的贡献而当选。 陈智Chih Chen因为对电子互连和封装技术，特别是Cu/SiO2混合键合的贡献而当选。 梁永齐和杨佳玲因为对显示技术和薄膜电路设计方面对电子器件的贡献而当选。 薛春和李建宏因为对射频声波器件的研究和商业化做出了贡献而当选。 郑秀珍和卢敏因为对高性能和节能数字信号处理器设计的贡献而当选。 刘星宇和陈晓霞因为对高性能和节能数字信号处理器设计的贡献而当选。 张维国因为对高迁移率FinFET工艺技术的贡献而当选。

叶甜春凭借集成电路创新联盟副理事长兼秘书长、中国半导体行业协会集成电路分会理事长、复旦大学校友总会集成电路行业分会会长等多重身份，成功当选国家科技重大专项02专项技术总师。叶甜春是中国集成电路的实际操作者，其对集成电路创新和产业发展作出的重大贡献，为中国乃至全球集成电路产业的发展做出了重要贡献。 IEEE成立于1963年，是全球领先的专业技术组织，致力于推动科技进步以造福人类。IEEE在190多个国家拥有超过50万名会员，是电气与计算机科学、工程及相关众多领域的权威机构。 IEEE会士授予在IEEE相关领域取得杰出成就的高级会员，每年获此殊荣者不超过 IEEE具有投票权会员总数的0.1%。会士是IEEE会员的最高级别，被公认为一项崇高的荣誉和重要的职业成就。复旦大学微电子学院发布的学院资讯，旨在提高学院的知名度和影响力，同时加强与外界的信息交流和合作，推动学院的快速发展。

脑机接口技术正在改变残疾人的生活，通过模拟人脑的功能实现辅助功能，使他们能够恢复正常的生活。本文报道了相关进展，介绍了脑机接口产业的现状以及未来发展的前景。

摘要：第23届上海国际课程研讨会在华东师范大学召开，旨在探讨智能时代教育变革。天津滨海新区教师发展中心相关负责人在分论坛上分享STEM教育特色实践，助力“AI+STEM”融合发展。滨海新区搭建“校企研”协同平台，支持学生的科研实践，同时优化课程体系，开发特色教材，提升综合素质评价标准。

华算双十二限时秒杀！同步辐射数据分析低至800元/元素，限量抢，手慢无！重磅加码！经费预存享高至30%增值，更有8500+返利直接送，一次预存，随时可用！源：科研城邦公众号、Nature Communications

氮化碳类材料作为高效太阳能光合成的候选材料，具有低成本、高稳定性、环境友好等特点。但其太阳能到化学能的转化效率仍面临光利用率有限、表面吸附能力低以及氧化还原反应路径受限等问题。针对这些问题，研究人员通过改性方法实现了氮化碳材料内在结构和物理化学性质的调控，成功克服了一系列问题。改性后的材料具有丰富的活性位点，且表现出优异的可见光吸收能力和增强的电荷转移动力学，有助于实现高效的太阳能利用。本文将探讨氮化碳在人工光合作用驱动过氧化氢生成中的研究进展，并提出缺陷调控氮化碳在光催化合成H2O2方面的优势与不足。

标题：界面偶极调控策略在金纳米双棱锥尖端的光催化性能提升 摘要：本文提出了一种界面偶极调控策略，通过在金纳米双棱锥尖端负载PdAg（Au-tPA），与巯基乙酸（MAA）功能化的CdS（MCdS）构筑复合体系，实现多种非辐射能量利用途径的协同调控。通过优化的Au-tPA/MCdS复合光催化剂在可见-近红外光照下实现了42.64 mmol g−1 h−1的析氢速率，高于未修饰的Au-tPA/CdS（18.38 mmol g−1 h−1）及已报道的CdS基光催化剂在相似反应体系中的析氢性能。 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能 关键词：界面偶极调控，光催化，非辐射能量利用途径，光催化体系，光催化性能

标题：新型双相高熵材料的高效催化降解环保技术 摘要：本文成功研发了一种具有相调控界面极化效应的双相高熵材料，通过构建FCC/R-3c异质结，利用内建电场极大提升了PMS活化效率与电荷转移能力。此外，创新性地利用Mn元素实现了类芬顿氧化与自诱导混凝的时序耦合与功能协同，在高效降解有机污染物的同时，解决了中间产物残留与微量金属离子回收的难题。 关键词：双相高熵材料，高熵材料，催化降解，自诱导混凝，环保技术

本文主要介绍了氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）作为高频、高功率及恶劣环境下的核心器件之一的最新研究进展。通过使用高热导率金刚石构建高效散热衬底，成功实现了GaN器件的高散热性能。此外，还讨论了如何解决GaN器件与Diamond之间的严重应力和热失配问题，以及在高微波功率器件应用方面的应用前景。

球形结构因最小化表面张力而具有独特稳定性。作为人工合成的具有较大比表面积和表面能的功能球形材料，纳米粒子的表面性质对其在生物医学、催化和环境等领域的应用效果至关重要。然而，受限于其微小尺寸和结构不确定性，传统分析手段难以获取表面吸附行为的清晰信息。作为纳米粒子的分子模型，具有原子级精确结构的球形纳米团簇有望提供解决方案，但面临挑战。

介质光子晶体平板中的导模谐振具有独特的光学响应特性，在低阈值激光、结构光场生成与高灵敏传感等领域展现出广阔的应用前景。在介质光子晶体平板中，通过调控结构单元的空间旋转角度，可使每个单元散射出的光携带与转角线性相关的几何相位。基于这一机制，可将光子晶体平板构建为导模谐振相位梯度超表面，实现波前调控。

标题：氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）研发成功，有望突破GaN器件散热瓶颈 摘要：氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）的研发成功，有望解决GaN器件的自热、提高可靠性和功率性能的问题。同时，通过使用高热导率金刚石构建高效的散热衬底，研究人员成功实现高散热性能的GaN HEMT器件。这一成果以“GaN HEMTs on 4H-SiC/Diamond Engineered Substrate with Enhanced Heat Dissipation”为主题发表在IEEE电子设备 Letters。 关键词：氮化镓，HEMT，金刚石，高热导率，散热，高性能，自热，可靠性，功率性能 正文： 氮化镓高电子迁移率晶体管作为高频、高功率及恶劣环境下的核心器件之一，因其强大的电子迁移率而受到广泛应用。然而，器件功率密度和工作电压不断攀升，导致器件自热问题日益突出。传统的单晶Si或SiC衬底在散热能力方面愈发难以满足需求。利用高热导率金刚石构建高效散热衬底，被认为是解决GaN器件散热瓶颈的理想路径。 最近，微电子所刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等单位团队合作，成功实现了高散热性能的GaN HEMT器件。这一步的研究成果不仅为突破GaN器件散热瓶颈提供了新的技术方案，也为行业的发展带来了积极的影响。 此外，研究人员还发现，氮化镓与Diamond之间严重应力和热失配问题，通过引入一层4H-SiC薄膜进行高温GaN外延过程缓解晶格失配和热膨胀失配。这项方案创新采用了基于表面活化键合（SAB）的薄膜二次转移技术，将厚度约784纳米的4H-SiC薄膜键合转移到金刚石衬底上，可耐受超过1100℃的高温，并在此基板上制备出GaN HEMT器件。这种工艺实现了最高可达98%的键合率，转移后4H-SiC薄膜的XRD摇摆曲线半高宽与体SiC相当，表明薄膜保持了接近本征的晶体质量。 通过上述研究，研究人员已经成功地开发出能够有效降低GaN器件自热、提高可靠性和功率性能的新技术方案。这项成果有望在未来推动GaN器件在各种应用场景中的应用，例如在高微波功率器件中发挥重要作用。 总的来说，氮化镓高电子迁移率晶体管的成功研发，对于解决GaN器件散热瓶颈具有重要的意义。未来，该技术有望进一步拓宽GaN器件的应用领域，为相关行业的健康发展提供有力的支持。

微观世界中，电子具有“自旋”的基本属性，这些“自旋”如同一个个微小磁针。材料的较多宏观特性，如磁铁的磁性或超导体的零电阻，皆源于这些微观磁针的排列方式与相互作用。

摘要：十storrent发布了高性能RISC-V CPU——TT-Ascalon™，这款处理器将开启RISC-V处理器的新纪元。十storrent致力于让AI芯片更便宜，其推出的产品具有真实的高性能计算能力，性能超越市场上任何现有RISC-V CPU。十storrent的使命是让AI芯片更便宜，同时其已经建立了全站点软硬件方案，通过开源软件，可以让开发者迅捷便利地开发属于自己的RISC-V高性能处理器。十storrent声明，这款CPU将在全球范围内被广泛采用，应用领域涵盖嵌入式系统到高性能计算。十storrent还宣布，这款CPU将通过规格CPU基准测试验证，单核性能达到22 Specint®2006/GHz（编者注：Specint®2006 是由标准化性能评估公司（SPEC）开发的一种基准测试套件，用于评估计算机系统在运行整数工作负载时的性能）。十storrent预计将在2026年推出下一代芯粒·小芯片架构开放标准OpenChiplet Architecture (OCA)。十storrent还宣布与AutoCore签订战略合作，Autocore将成为 Tenstorrent高性能RISC-V处理器平台TT-Ascalon™ 的主要合作伙伴。