1.星宸科技“卷积运算装置”专利公布
2.华虹宏力“肖特基集成的超级结器件及其制造方法”专利获授权
3.一微半导体“一种多核异构芯片启动控制方法和启动控制系统”专利公布
4.天马微电子“一种显示面板和显示装置”专利获授权
5.维信诺“吸附机构、光学检测设备和显示面板生产设备”专利公布
1.星宸科技“卷积运算装置”专利公布
天眼查显示，星宸科技股份有限公司“卷积运算装置”专利公布，申请公布日为2024年8月23日，申请公布号为CN119128349A。
本申请公开卷积运算装置，涉及卷积运算技术领域。卷积运算装置包括乘积累加运算电路以及后处理电路。乘积累加运算电路根据一第一特征数据与一权重系数执行一卷积运算以产生一初始运算数据，并产生一完成信号。后处理电路根据所述完成信号自一存储器获取一第一移位数，根据所述第一移位数对所述初始运算数据进行一比特移位以产生一移位后运算数据，并根据一预设数值范围对所述移位后运算数据执行一第一截位运算以产生一第一运算数据，其中所述第一运算数据的比特数少于所述初始运算数据的比特数。
2.华虹宏力“肖特基集成的超级结器件及其制造方法”专利获授权
天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“肖特基集成的超级结器件及其制造方法”专利公布，申请公布日为2024年8月22日，申请公布号为CN119133216A。
本发明提供一种肖特基集成的超级结器件，包括衬底，在衬底上形成N型的外延层，在外延层上形成有P型柱，P型柱和P型柱之间的区域为交替排列的超级结MOSFET形成区域；超级结MOSFET，在超级结MOSFET中并联集成由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，其中，超级结MOSFET为分栅结构，分栅结构之间预留有空白空间作为肖特基接触区；沟槽栅结构和P型柱之间的外延层上形成有阱区，在阱区上形成有阱接触区和源区；肖特基金属层；肖特基二极管的阳极位于肖特基接触区的肖特基金属层上，肖特基二极管的阴极共用位于衬底背面的超级结MOSFET的漏电极。本发明无需额外注入即可形成肖特基结构，可以避免辐照工艺对器件造成的不良影响。
3.一微半导体“一种多核异构芯片启动控制方法和启动控制系统”专利公布
天眼查显示，珠海一微半导体股份有限公司有限公司“一种多核异构芯片启动控制方法和启动控制系统”专利公布，申请公布日为2024年9月3日，申请公布号为CN119127323A。
本申请提供一种多核异构芯片启动控制方法和启动控制系统，在多核异构芯片内部BROM失效时，先让小核从外挂的非易失性存储器读取小核启动代码并完成小核的启动，然后再通过小核从外挂的非易失性存储器复制大核修复代码到大核随机存取存储器中，以协助大核完成启动，可以规避BROM设计错误导致多核异构芯片失效的风险。在多核异构芯片中，大核电路较为复杂，导致启动引导程序也变得复杂且容易出错，因此本申请增加了小核也能启动大核的机制，当大核BROM代码设计错误时，使大小核负责启动的角色互换，让小核可以启动引导整个系统，起到双保险的效果。
4.天马微电子“一种显示面板和显示装置”专利获授权
天眼查显示，武汉天马微电子有限公司近日取得一项名为“一种显示面板和显示装置”的专利，授权公告号为CN222170322U，授权公告日为2024年12月13日，申请日为2023年12月29日。
本实用新型公开了一种显示面板和显示装置。该显示面板包括：第一子像素、第二子像素和第三子像素；两个第一子像素和两个第二子像素构成第一虚拟四边形，第三子像素位于第一虚拟四边形内；四个第三子像素构成第二虚拟四边形，第一子像素或第二子像素位于第二虚拟四边形内；第一子像素和第二子像素均包括第三边，第三边包括第一子段和第二子段，第一子段连接第一边且第二子段连接第二边；第一子像素和第二子像素均包括对应的外接虚拟平行四边形；第一子像素对应的外接虚拟平行四边形和第二子像素对应的外接虚拟平行四边形的中心连线，至少与第一子像素和第二子像素中一者的第三边相交。本实用新型提供的显示面板，可以提高显示效果。
5.维信诺“吸附机构、光学检测设备和显示面板生产设备”专利公布
天眼查显示，维信诺科技股份有限公司“吸附机构、光学检测设备和显示面板生产设备”专利公布，申请公布日为2024年12月13日，申请公布号为CN119117679A。
本申请提供一种吸附机构、光学检测设备和显示面板生产设备，包括基台、吸附件和导电组件；所述基台的内部设置有容纳通道；所述吸附件安装在所述基台的第一表面上，所述吸附件包括吸附本体和能够伸入所述容纳通道的第一导电部，所述吸附本体用于对待吸附产品产生吸附作用；所述导电组件的一端设置于所述容纳通道中，并与所述吸附件的第一导电部连接，所述导电组件的另一端伸出所述容纳通道并接地。如此，吸附件通过导电组件接地，可以解决吸附件的接地电阻难以达到静电放电检测标准的问题。
