1.积塔半导体“一种晶圆研磨垫”专利获授权；
2.禹创半导体“一种基于过驱动的图像边界平滑方法、设备及介质”专利获授权；
3.泰科天润“一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法”专利获授权；
1.积塔半导体“一种晶圆研磨垫”专利获授权；
天眼查显示，上海积塔半导体有限公司近日取得一项名为“一种晶圆研磨垫”的专利，授权公告号为CN221135468U，授权公告日为2024年6月14日，申请日为2023年11月17日。
本申请提供一种晶圆研磨垫，应用于晶圆研磨技术领域，其中包括垫体，所述垫体呈圆形，所述研磨垫开设有多个环形沟槽，所述环形沟槽同圆心设置，所述环形沟槽的圆心为垫体的圆心，圆心最外侧的所述环形沟槽背离圆心一侧设置有多个摩擦沟槽，所述摩擦沟槽的一端与圆心最外侧的环形沟槽连通，所述摩擦沟槽远离环形沟槽的一端贴近于垫体的外侧壁。当需要对晶圆进行研磨时，研磨液被滴落到垫体的环形沟槽和摩擦沟槽中，研磨头带动晶圆转动和移动，晶圆与垫体相接触，位于边缘位置的摩擦沟槽增加了晶圆与垫体的接触面积，提高了边缘位置对晶圆的摩擦速率，降低了因研磨垫边缘位置与中间位置研磨速率不同对晶圆良率的影响。
2.禹创半导体“一种基于过驱动的图像边界平滑方法、设备及介质”专利获授权；
天眼查显示，禹创半导体（深圳）有限公司近日取得一项名为“一种基于过驱动的图像边界平滑方法、设备及介质”的专利，授权公告号为CN118037584B，授权公告日为2024年6月14日，申请日为2024年4月12日。
本发明公开了一种基于过驱动的图像边界平滑方法、设备及介质，包括：获取当前帧图像的第一画面信息和前一帧图像的第二画面信息；基于当前帧图像和前一帧图像的画面信息采用区块切割算法分别对当前帧图像和前一帧图像的画面信息进行区块化处理，获得若干区块信息；根据区块信息计算各区块的平均量度值；对比并获取当前帧图像和前一帧图像对应区块的平均量度值差异；基于区块信息和平均量度值差异，通过过驱动加速切换画面显示；基于各区块的平均量度值采用双线性内插算法对图像边界进行平滑处理。本发明的方案在保证品质的同时提高了解析存储效率，经济性强；通过边界平滑处理，优化视觉观感体验；还实现电源功耗的科学管理。
3.泰科天润“一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法”专利获授权；
天眼查显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司近日取得一项名为“一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法”的专利，授权公告号为CN117995686B，授权公告日为2024年6月14日，申请日为2024年4月2日。
本发明提供了一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法，包括：在碳化硅衬底的一侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底另一侧面淀积生长，形成漂移层；淀积阻挡层，对阻挡层，离子注入，分别形成阱区、JFET控制区以及源区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及阱区，之后进行淀积，形成栅极介质层、第二栅极金属层、第一栅极金属层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，通过通孔淀积金属，形成源极金属层，能实现器件的快速开启。
