三星电子（Samsung Electronics）联席CEO兼芯片业务负责人全永铉（Jun Young-hyun）周一表示，他在首尔与英伟达（Nvidia）CEO黄仁勋（Jensen Huang）会面期间，讨论了下一代晶圆代工芯片领域的合作事宜。
全永铉表示，三星目前正与英伟达在自动驾驶芯片和Groq AI加速器芯片方面开展合作，双方还就未来几代半导体产品的合作进行了讨论。他补充称，两家公司围绕长期合作展开了广泛交流，其中包括HBM4E和HBM5高带宽存储器（HBM）产品。
今年3月，黄仁勋发布了英伟达基于AI芯片初创公司Groq技术打造的新一代AI推理处理器，并宣布三星将负责生产Groq的LP30芯片。该产品计划于今年下半年开始出货。
英伟达首席执行官黄仁勋近日到访韩国，并宣布三星电子、SK海力士和美光科技均已通过认证，将为英伟达下一代人工智能平台Vera Rubin供应HBM4高带宽存储芯片。
这是英伟达首次正式确认三家存储芯片厂商同时获得HBM4供应资格。这三家公司主导着全球存储芯片市场，此前一直在争夺英伟达HBM供应份额。SK海力士在HBM3E时代占据约62%的市场份额，而此次三家同时获得认证，意味着HBM4世代的供应格局或将发生变化。
黄仁勋在台北电脑展期间透露，Vera Rubin已进入全面量产，整机产品将于今年第三季度正式出货。这套AI系统由英伟达Vera CPU与Rubin GPU集群搭建而成，单台服务器将搭载TB级容量的HBM4高带宽内存。HBM4是第六代高带宽存储产品，相比前代HBM3E在接口宽度上实现翻倍，数据传输速度从约1 TB/s提升至2 TB/s。（校对/赵月）
