维信诺率先推出高迁移率ALD全氧化物技术的量产解决方案

当地时间5月5日，在SID学术论坛上，维信诺技术专家陈发祥受邀发表主题报告，宣布其率先推出高迁移率ALD（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）全氧化物技术的量产解决方案。

维信诺采用ALD工艺实现全氧化物TFT单栅迁移率突破50cm²/V·s，并成功点亮6.39英寸全氧化物面板。经验证，该技术在成膜精度、稳定性及一致性等方面已初步达成性能要求，为OLED背板提供了一条兼顾高性能、工艺效率与全尺寸扩展潜力的新路径。

迁移率突破50cm²/V·s

ALD打开全氧化物高性能上限

在现有OLED背板技术体系中，LTPS凭借较高迁移率长期占据高性能主流路径，但其高度依赖激光退火（ELA）工艺，制程复杂、成本较高；传统氧化物方案在大面积一致性方面具备优势，却受限于迁移率水平，难以进入高规格应用场景。ALD工艺的引入，为业界难题提供了新解法。

ALD可以理解为一种“按层做膜”的工艺。相比传统PVD（物理气相沉积）一次性把材料“铺上去”，ALD更像是一层一层把薄膜“长出来”，每一步都控制得更精细。正因为这样，ALD做出来的薄膜厚度更精准、分布更均匀、质量也更稳定，从而为高性能氧化物TFT提供了更好的材料基础。

对显示背板而言，迁移率是衡量器件驱动能力的关键指标，直接影响像素响应速度、充电效率以及高分辨率场景下的驱动表现。维信诺采用ALD工艺实现全氧化物TFT单栅迁移率突破50cm²/V·s，双栅迁移率突破80cm²/V·s，达到全球领先水平，也意味着全氧化物背板具备了进入小尺寸高端应用的驱动能力。下一步，维信诺将持续推动该技术的量产应用。

更重要的是，这项全氧化物技术无需复杂的激光退火（ELA）工艺，即可实现高性能驱动，从源头上简化了制造流程、提升了生产效率。

更快、更窄、更省电

性能提升改善显示体验

迁移率提升带来的变化，也将转化为更直接的显示体验。

首先是更高刷新率。在实际使用中，屏幕每一帧画面都需要在极短时间内完成像素刷新。器件驱动能力越强，像素响应越快，就越容易支撑高刷新率下的流畅显示。

其次是更窄边框和更高屏占比。更强的驱动能力意味着，在实现同等显示效果的前提下，像素电路可以进一步缩小，占用更少空间，从而为更紧凑的结构设计提供可能。这不仅有助于优化整机外观，也为更高像素密度显示提供了支撑。

此外，该技术还可实现低刷新率下的稳定显示。在待机、静态画面等低刷新率场景下，屏幕需要在更长时间内保持画面稳定。器件性能提升后，像素状态更容易维持，有助于减少闪烁与亮度波动，从而在降低功耗的同时保持稳定显示表现。

率先点亮小尺寸面板

拓宽全氧化物应用边界

在性能提升基础上，本次成果进一步完成了小尺寸全氧化物面板点亮。此前，受迁移率限制，全氧化物背板主要应用于中尺寸显示场景。此次小尺寸面板成功点亮，意味着该技术路径已具备向更高规格应用领域延展的能力，也标志着氧化物背板的应用边界正在被重新打开。

经验证，该ALD方案在关键工艺指标上已达到量产规格要求，膜厚片间波动小于2%，膜厚均一性小于4%，表明该工艺在批量制备过程中具备良好的稳定性与重复性，能够满足面板生产对一致性的要求。目前，该技术已在4.5代线完成验证，并具备向更高世代线扩展的能力。

“想创新、敢创新、能创新”，依托近三十年的技术积累和产业化经验，维信诺致力于攻克制约产业发展的难题。ALD高迁移率全氧化物技术无需依赖多材料复杂组合，在单一氧化物体系内提升性能上限，兼具高性能、工艺效率与全尺寸扩展潜力，有望成为OLED未来发展的重要技术路径，并在新一轮显示技术竞争中发挥更大作用。

点击此处链接获取论文：

[ALD]HighmobilityOxideTFTsbyatomiclayerdepositionforAMOLEDDispl....pdf